Eagleウェーハ自動外観検査装置

独自の画像処理技術を用いた高速高精度欠陥抽出アルゴリズムを搭載 Eagle

基本情報

装置名
Eagle
製造元
Camtek社(イスラエル)
検査
欠陥検査(2次元)、測長(2次元、3次元検査)
光源
Xe または LED
解像度
X20(0.8µm~)
スループット
標準倍率検査時で55w/h(8インチ)

おもな特長

  • Falcon/Condorの後継機種、Eagleをリリース
  • 独自のマルチアルゴリズムにも改良を加え、見逃し・誤報のさらなる低減を実現。
  • 業界をリードしてきたウェーハ全面3D計測を一新、最先端3D-ICのニーズ(バンプ検査/計測)
  • 独自の搬送系は各種ウエハに対応可能

Camtek社製 Eagleは、パワーデバイスやMEMS、LED、CMOSイメージセンサーなどの半導体製造工程におけるウェーハ外観検査装置です。微細な欠陥を正確に検出するため、カラーフィルター付の暗視野系、明視野系の両光学系を1台に搭載し、デバイスに合わせた適切な照明条件設定が可能です。また、PCベースの並行処理システムにより高速検査が可能となります。また、独自の周辺比較アルゴリズムを活用することで、サブピクセルオーダーの欠陥を検出できます。

Eagleは、量産工程に適合した各種計測機能に特長があります。必要により、より高精度な2次元(2D)計測および3次元(3D)計測のアルゴリズムを複数用意しております。
また3次元(3D)計測では特にバンプ計測にて実績が高く、総バンプ数2000万個の計測も実現しております。

さらにベベル検査、ウェーハ裏面の検査、IR(赤外線)検査等のオプションを追加可能なため、1台で複数の検査工程を包括できます。

またFA(Factory Automation)におけるSECS/GEMおよびOHTといったオンライン通信(ホスト通信)規格など、顧客ニーズに応じた自動化にも対応しています。

アプリケーション事例

欠陥検査(2次元)

表面検査(MEMS、CISなど)
LED
プローブ痕
ポストダイシング

測長(2次元、3次元)

バンプ計測(バンプ高さ、バンプ径)
TSV計測(Via深さ、Via径)
CCS計測(半田バンプ高さ・金バンプ突起高さ・プローブ痕深さ)
RDL線幅計測

出力データ例

下記例のように、不良チップの分布や面内傾向をマップやグラフ表示にて出力ができます。一目で分かるデータ表示のため、プロセスへのフィードバックも効率的に行う事が可能です。

不良チップマップ
バンプ高面内傾向
欠陥サイズ/バンプ高面内分布

ユーザービリティに優れたレビュー機能

  • Camtek社のレビューシステムを用いることで、検査装置へのフィードバックを簡易化できます。
    • ウエハ無しでも検査結果へアクセス可能
    • 測定と並行したレビューが可能
  • お客さま独自のマップファイルのフォーマットに対応可能です。
  • Camtek社の外観検査装置1台で、検査・ADC・レビューの工程に対応可能です。
    欠陥算出のロジック、データ規格、精度調整を効率よく実施できます。

適用ウェーハ

2~12インチまで対応(※一部オプション)
ベアウェーハだけでなくダイシング後のフレームウェーハやTAIKOウェーハ、薄ウェーハ等も搬送/検査可能です。

適用工程

受け入れ検査、ダイシング前、ダイシング後、電気特性検査、バンピング、最終外観検査、出荷検査、ウェーハ裏面検査、IR検査、スリップライン検査、ベベル検査など
量産ラインでの検査だけでなく、搬送系を取り外して検査部のみでも販売可能なため、研究開発用途でご導入された例もあります。

適用デバイス

メモリー(フラッシュメモリー、DRAM、システムLSI)、LED(発光ダイオード)、CIS(CMOSイメージセンサー)、MEMS(微小電気機械素子)、光学素子(VCSEL)、プローブマーク検査、バンプ、自動車(車載)向けIC、パワーデバイス(SiC、GaN)、ダイシング後(チップ検査)、アドバンス半導体パッケージ、RFデバイス(GaAs、GaN on Si)など