ポリッシュドウェーハ
（PW：Polished Wafer）
ウェーハ｜製品仕様
300mm 製品仕様
| サイズ | 製品の種類 | 製品応用分野 | 単結晶育成法 | 結晶方位 | 導電型 |
|---|---|---|---|---|---|
| 300mm | メモリ |
MCZ／CZ |
<100> |
P |
|
ロジック |
P |
||||
パワー |
N |
||||
高周波デバイス |
P |
||||
エピウェーハ （EW：Epitaxial Wafer） |
CMOSイメージセンサー |
P／N |
|||
ロジック |
P |
||||
パワー |
N |
||||
アルゴン・アニールウェーハ （AW：Annealed Wafer） |
ディスプレイドライバIC |
P |
200mm 製品仕様
| サイズ | 製品の種類 | 製品応用分野 | 単結晶育成法 | 結晶方位 | 導電型 |
|---|---|---|---|---|---|
| 200mm | ポリッシュドウェーハ （PW：Polished Wafer） |
ロジック |
MCZ／CZ |
<100>／<111> |
P |
パワー |
MCZ／FZ |
N |
|||
光電子 |
N／P |
||||
センサー |
N／P |
||||
エピウェーハ （EW：Epitaxial Wafer） |
ロジック |
MCZ／CZ |
<100> |
P |
|
CMOSイメージセンサー |
P |
||||
パワー |
N／P |
||||
SOIウェーハ （Silicon-On-Insulator Wafer） |
高周波デバイス |
SOI |
<100> |
N／P |
|
パワー |
|||||
微小電子機械システム |
|||||
アルゴン・アニールウェーハ （AW：Annealed Wafer） |
ディスプレイドライバIC |
MCZ／FZ |
<100> |
P |
100mm～150mm 製品仕様
| サイズ | 製品の種類 | 製品応用分野 | 単結晶育成法 | 結晶方位 | 導電型 |
|---|---|---|---|---|---|
| 100mm～150mm | ポリッシュドウェーハ （PW：Polished Wafer） |
パワー |
CZ／FZ |
<100>／<111> |
N／P Intrinsic |
光電子 |
|||||
センサー |
|||||
エピウェーハ （EW：Epitaxial Wafer） |
パワー |
CZ |
|||
スライスウェーハ／エッチングウェーハ |
ダイオード／サイリスタ |
CZ／FZ |
GaN、SiC次世代半導体材料 製品仕様
| サイズ | 製品の種類 | 製品応用分野 | 単結晶育成法 | 結晶方位 | 導電型 |
|---|---|---|---|---|---|
| GaN、SiC次世代 半導体材料 |
SiCエピウェーハ |
パワー |
‐ |
<11‐20> |
N |
GaNエピウェーハ |
パワー |
CZ |
<111> |
‐ |
-
※
150mmおよび200mmのSiCエピタキシャルのキャパシティを増強しております。
サブウェーハやエピウェーハなど、お客さまのご要望に応じ、カスタマイズ対応いたします。