mattson HeliosⅢ Rapid Thermal Annealer｜概要高性能ランプアニーリング装置

基本情報（商品構成）

45nmプロセス以降、300mm対応のハイパフォーマンス／低CoOランプアニーリング装置

Rippleパイロ方式によるウエハー裏面の放射率の影響を受けない温度モニタが可能。
MBC（Model Based Temperature Control）搭載により、最適処理温度制御の調整が格段に簡略化。短時間でのプロセス立上げが可能であり、短TAT、低CoOを実現。
TGF（Top gas Flow）機能によるスループットおよび均一性の改善が可能。
2チャンバー構成により比類なき高スループットを実現。
パターン依存性を最小限に抑えるDTEC（Differential Thermal Energy Control）機能。
リニアランプによる両面加熱に加えウエハー回転機構の採用により優れた面内均一性を達成。
高温（接合形成）から低温（シリサイド）まで幅広い温度領域での多彩なアプリケーション

ウエハーサイズ	φ300mm
適応プロセス温度	MBC Soak Controller650℃～1,250℃（標準仕様） MBC Low Temp Controller250℃～650℃（オプション）
昇温レート	5～250℃／sec
温度設定可能時間	0～500sec／block
温度制御	MBC（Model Based Temperature Control）
プロセスガスライン	最大8ライン（1チャンバ当たり）
装置サイズ	W1,865 × D2,467 × H2,640 mm（本体のみ）

キヤノンマーケティングジャパン株式会社プロセス機器営業部営業第一課

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