MAS-8220TP｜仕様プラズマエッチング・アッシング装置
基本仕様
| 項目名 | マイクロ波プラズマ方式 |
|---|---|
| ウエハーサイズ | Ø4～8インチ（オプション：2、3インチウエハ、薄ウエハ、TAIKOウエハ、裏面保護対応） |
| 反応ガスライン | O2（オプション：CF4、H2／N2、他MAX4系統） |
| EPDユニット | 発光スペクトル方式 |
| ウエハーステージ | 設定温度60℃～270℃（オプション：急速冷却対応）、ゾーン温度コントロール |
| 排気系 | ドライポンプ2式（オプション） |
| 装置サイズ | 本体 W1260×D1700×H2580mm |
| アプリケーション | ハイレートアッシング ハイドーズI／I PR処理（HDIS） ディスカム処理 等方性エッチング 異方性エッチング Polyエッチバック タングステンエッチバック SiCダメージ層除去 Siダメージ層除去 |
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