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VERSALINE Etch Seriesプラズマエッチング装置／プラズマCVD装置

次世代パワー半導体として注目されるGaN、高周波半導体基板のGaAs加工に対応したエッチング装置 VERSALINE ® Etch Series

基本情報

装置名: VERSALINE ®
製造元: Plasma Therm

おもな特長

シリコン半導体、化合物半導体、MEMSと各種デバイス製造工程に最適なドライエッチング装置
研究、開発、小規模生産から量産まで対応可能な多様なプラットホーム
最大6PMまで搭載可能。チャンバー追加が可能であり、プロセス開発から量産への展開にも対応
ICP、RIE、DSE（Deep Si Etching）をラインアップ
高密度、高均一なプラズマを発生する2MHz ICPソース
第4世代ICPプラズマソースは最先端シリコン深堀エッチング技術に対応
ウェハー支持は、静電チャック、メカニカルチャックから選択可能
低ダメージゲートエッチング用40MHzパルス印加方式
GaN高速異方性加工やテーパ形状加工、GaN、AlGaN複層構造のゲートリセス加工、InPマイクロレンズ加工、サファイア加工、シリコン深堀加工に対応

商品仕様

ウェハーサイズ: φ3-8 小径ウェハー、トレー処理対応可能
ウェハー固定方式: ESC、メカニカルクランプ選択可能
プロセスモジュール数: 最大6PM
温度制御: -20℃～180℃
安定性: W to W repeatability ＜±2％ Uptime＞90％
プロセス終点検知: OEI（Optical Emission Interferometry）
OES（Optical Emission Spectroscopy）
LES（Laser Endpoint System）
装置サイズ: W876×D2,100×H2,090mm（本体のみ）
アプリケーション ICP RIE DSE: GaAs、AlGaAs、GaP、InP、GaN、AlGaN、InGaN、Al203、SiC
GaAs、AlGaAs Gate recess
Si、SiO2、SiN

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