VERSALINE Deposition Seriesプラズマエッチング装置／プラズマCVD装置
基本情報
- 装置名
- VERSALINE ®
- 製造元
- Plasma Therm
おもな特長
- 平行平板方式と高密度プラズマ方式により、さまざまな種類の絶縁膜成膜が可能
- 独自のOEI終点検知方式によりプロセス中の膜厚モニタから終点検知が可能
- He希釈技術による膜ストレス制御
- 低温成膜の要求に対応したHDP-CVD
- 低周波出力依存の電気的ダメージが発生しないSiN膜
- ハイスループットバッチ式成膜装置もラインアップ（LAPECVD）
商品仕様
- ウェハーサイズ
- φ3-8 小径ウェハー、角基板、トレー処理対応可能
- プロセスモジュール数
- 最大6PM
- 電極サイズ
- 11″（279mm）diameter
- 温度制御
- 80℃～350℃
- 安定性
- W to W repeatability ＜±2.5％ Uptime＞ 90％
- プロセスガスライン
- 最大8ガスライン
- プロセス終点検知
-
OEI（Optical Emission Interferometry）
OES（Optical Emission Spectroscopy）
- 装置サイズ
- W876×D2,100×H2,090mm（IPM仕様、本体のみ）
- アプリケーション
PECVD
HDP-CVD -
パッシベーション、保護膜成膜、SiO2、SiOxNy、SiNx
200℃以下の低温下におけるSiO2、SiNx
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