Heatpulse-RTP Rapid Thermal Annealer枚葉式ランプアニーリング装置
基本情報
- 装置名
- Heatpulse-RTP
- 製造元
- Plasma Therm
おもな特長
- コールドウォール設計による低コンタミネーション石英チャンバーを採用
- 上下に配置されたハロゲンランプとゾーンコントロール方式の採用によりファーネスと同レベルの均一性を実現
- 光学式パイロメーターによる温度制御方式の他に熱電対による制御も可能（ezDTC）
- ウェーハ裏面の放射率の影響を除き、さらに均一性を向上させるセラミックシールドを用意（オプション）
- Si、SiC、GaNなどさまざまなウェーハを処理可能
商品仕様
- ウェハーサイズ
- Φ4-8 小径ウェハー
- プロセスモジュール数
- 最大2PM
- 適用プロセス温度
- 500～1175℃
- 温度制御
- パイロメータまたは熱電対によるクローズドループ
- 昇温レート
- 1～100℃／sec
- プロセスガスライン
- 最大6ライン
- 温度設定可能時間
- 0～600sec
- 装置サイズ
- W1330×D2,042×H2,121mm
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