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MAS-8220AT|仕様プラズマエッチング・アッシング装置

基本仕様

項目名 マイクロ波プラズマ方式
ウエハーサイズ Ø4~8インチ(オプション:2、3インチウエハ、薄ウエハ、TAIKOウエハ、裏面保護対応)
反応ガスライン O2(オプション:CF4、H2/N2、他MAX4系統)
EPDユニット 発光スペクトル方式
ウエハーステージ 設定温度60℃~270℃(オプション:急速冷却対応)
排気系 ドライポンプ2式(オプション)
装置サイズ 本体 W1260×D1700×H2580mm
アプリケーション ハイレートアッシング
ハイドーズI/I PR処理(HDIS)
ディスカム処理
等方性エッチング
異方性エッチング
Polyエッチバック
SiCダメージ層除去
Siダメージ層除去

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キヤノンマーケティングジャパン株式会社 プロセス機器営業部 営業第二課

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