MAS-8220AT|仕様プラズマエッチング・アッシング装置
基本仕様
項目名 | マイクロ波プラズマ方式 |
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ウエハーサイズ | Ø4~8インチ(オプション:2、3インチウエハ、薄ウエハ、TAIKOウエハ、裏面保護対応) |
反応ガスライン | O2(オプション:CF4、H2/N2、他MAX4系統) |
EPDユニット | 発光スペクトル方式 |
ウエハーステージ | 設定温度60℃~270℃(オプション:急速冷却対応) |
排気系 | ドライポンプ2式(オプション) |
装置サイズ | 本体 W1260×D1700×H2580mm |
アプリケーション | ハイレートアッシング ハイドーズI/I PR処理(HDIS) ディスカム処理 等方性エッチング 異方性エッチング Polyエッチバック SiCダメージ層除去 Siダメージ層除去 |
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