発表日　2003年7月8日

キヤノンはこのほど、100ナノ （1ナノは10億分の1） メートルの解像力を備えたKrF （フッ化クリプトン） エキシマレーザースキャニングステッパー （縮小投影型露光装置） "キヤノン FPA-6000ES6" を開発し、受注活動を開始するとともに2004年第2四半期より出荷します。

新製品 "キヤノン FPA-6000ES6" は 「FPA-6000ES5」 の後継機で、さらなる高解像度と高スループットを実現した、300mmウエハー対応のスキャニングステッパーです。光源にKrFエキシマレーザー （波長248ナノメートル） を使用しながらも、高NA （開口数＝レンズの明るさ） 0.86を実現した新開発の極低収差投影レンズを搭載することにより、100ナノメートルの高解像力で鮮明かつ微細な回路パターンを露光することができます。
また、各種ユニットの制御精度の向上やウエハー交換時間の短縮などを達成し、300mmウエハー換算で1時間あたり147枚以上 （200mmウエハー換算では170枚以上） という世界最高水準の高スループットを実現しています。

なお、新製品 "FPA-6000ES6" は、7月14日から16日まで米国・サンフランシスコで開催される 「セミコンウエスト2003」 に出展される予定です。

【半導体露光装置市場の動向】

半導体露光装置市場は、2001年下期から全世界的に厳しい状況にあり、2002年の市場は対前年マイナス23％でした。2003年上期も状況に大きな変化はなく、回復に転じるのは下期からになると思われます。（キヤノン調べ）

【開発の背景】

近年、半導体業界において、チップの高集積化に伴う微細化・低コスト化と、生産性の更なる向上が追求されています。今回の新製品は、このような業界の要求に応えるために開発されたものです。 "FPA-6000ES6" は、縮小投影レンズの高NA化とオーバーレイの高精度化を実現することで、KrFエキシマレーザー光源機として、これまで以上の微細化加工に対応できるほか、各ユニットの制御機能の改良により、高スループット化も達成しており、さらなる生産性の向上に貢献します。