ポリッシュドウェーハ
(PW:Polished Wafer)
ウェーハ|製品仕様
300mm 製品仕様
サイズ | 製品の種類 | 製品応用分野 | 単結晶育成法 | 結晶方位 | 導電型 |
---|---|---|---|---|---|
300mm | メモリ |
MCZ/CZ |
<100> |
P |
|
ロジック |
P |
||||
パワー |
N |
||||
高周波デバイス |
P |
||||
エピウェーハ (EW:Epitaxial Wafer) |
CMOSイメージセンサー |
P/N |
|||
ロジック |
P |
||||
パワー |
N |
||||
アルゴン・アニールウェーハ (AW:Annealed Wafer) |
ディスプレイドライバIC |
P |
200mm 製品仕様
サイズ | 製品の種類 | 製品応用分野 | 単結晶育成法 | 結晶方位 | 導電型 |
---|---|---|---|---|---|
200mm | ポリッシュドウェーハ (PW:Polished Wafer) |
ロジック |
MCZ/CZ |
<100>/<111> |
P |
パワー |
MCZ/FZ |
N |
|||
光電子 |
N/P |
||||
センサー |
N/P |
||||
エピウェーハ (EW:Epitaxial Wafer) |
ロジック |
MCZ/CZ |
<100> |
P |
|
CMOSイメージセンサー |
P |
||||
パワー |
N/P |
||||
SOIウェーハ (Silicon-On-Insulator Wafer) |
高周波デバイス |
SOI |
<100> |
N/P |
|
パワー |
|||||
微小電子機械システム |
|||||
アルゴン・アニールウェーハ (AW:Annealed Wafer) |
ディスプレイドライバIC |
MCZ/FZ |
<100> |
P |
100mm~150mm 製品仕様
サイズ | 製品の種類 | 製品応用分野 | 単結晶育成法 | 結晶方位 | 導電型 |
---|---|---|---|---|---|
100mm~150mm | ポリッシュドウェーハ (PW:Polished Wafer) |
パワー |
CZ/FZ |
<100>/<111> |
N/P Intrinsic |
光電子 |
|||||
センサー |
|||||
エピウェーハ (EW:Epitaxial Wafer) |
パワー |
CZ |
|||
スライスウェーハ/エッチングウェーハ |
ダイオード/サイリスタ |
CZ/FZ |
GaN、SiC次世代半導体材料 製品仕様
サイズ | 製品の種類 | 製品応用分野 | 単結晶育成法 | 結晶方位 | 導電型 |
---|---|---|---|---|---|
GaN、SiC次世代 半導体材料 |
SiCエピウェーハ |
パワー |
‐ |
<11‐20> |
N |
GaNエピウェーハ |
パワー |
CZ |
<111> |
‐ |
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